存储现货年内涨超4倍手机厂库存跌至历史低位：将被迫减配涨价

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2025-12-13

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12月8日快讯，财联社消息显示，存储芯片市场正迎来史无前例的“超级涨价潮”：dram颗粒年内价格飙升超400%，nand flash报价亦接近翻三倍。

受AI服务器订单强势抢占晶圆产能影响，面向消费电子的存储芯片供应持续收紧，终端厂商普遍面临库存告急、被迫高价补货的被动局面。业内预判，后续消费电子产品将呈现“售价上扬、存储缩水”的双重调整趋势。

存储现货年内涨超4倍手机厂库存跌至历史低位：将被迫减配涨价

酷赛智能方面指出，4GB DDR4颗粒现货价格已由年初约7美元跃升至11月中旬的30美元以上，涨幅达4–5倍；64GB eMMC则从3.2美元涨至逾8美元，Flash全品类平均涨幅逼近300%。

11月初，闪迪率先宣布全线调涨50%，三星部分消费级存储产品随即跟进，涨幅超60%，短期内如此剧烈的价格跃升远超产业链原有预期。

更值得关注的是，美光正式宣布关停旗下消费级子品牌英睿达（Crucial）的内存条与SSD业务，全面收缩资源，集中投向AI数据中心等高附加值、高增长赛道，加速抢占AI存储核心市场。

此举进一步加剧供需失衡，当前主流智能手机厂商的存储芯片库存周期普遍压缩至4周以内，显著低于行业公认的8–10周安全水位线。

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多家分析机构研判，此轮低库存并非厂商主动去化所致，而是年初基于偏谨慎的需求预判未及时备货，叠加当前现货价格畸高、渠道货源极度稀缺，迫使厂商只能无奈接受高价采购。

展望未来，手机主流配置或出现回调——如从当前主流的12GB+512GB，逐步回归至8GB/12GB+256GB组合，延续多年的存储容量“倍增逻辑”或将阶段性终结；与此同时，整机提价已成大概率事件。

小米集团总裁卢伟冰在近期财报电话会上坦言：“内存成本的暴涨已超出定价传导能力，即便上调终端售价也难以完全覆盖成本压力”，并预计明年新机零售价将迎来明显上涨。

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